Tellurium

Configuration électronique : [Kr] 4d¹⁰ 5s² 5p⁴
 
Propriétés :

Nom de l'élément : Tellurium
Classification de l'élément : semi-métallique
Symbole : Te
Numéro atomique : 52
Masse atomique : 127,6 amu
Point de fusion (°K) : 722,7
Point d'ébullition (°K) : 1263
Structure cristalline : hexagonale
Densité (g/cm3) : 6,24
Chaleur massique (@20°C J/g mol) : 0,201
Chaleur de fusion (kJ/mol) : 17.91
Chaleur d'évaporation (kJ/mol) : 49.8
Nombre de négativité de Pauling : 2.1
Première énergie d'ionisation (kJ/mol) : 869
Etats d'oxydation : 6, 4, 2
Structure du réseau cristallin : Hexagonale
Constante du réseau cristallin (Å) : 4,450

Description : Le tellurium cristallin a un aspect blanc argenté et présente un reflet métallique lorsqu'il est pur. Il est cassant et facile à pulvériser. Le tellurium est un semi-conducteur de type p et présente une conductivité variable avec l'alignement des cristaux. Sa conductivité augmente légèrement avec l'exposition à la lumière. Le tellurium peut être dopé avec de l'argent, du cuivre, de l'or, de l'étain ou d'autres éléments.

Séparation : La plus grande partie du tellurium est un produit dérivé du raffinage du cuivre. La technologie d'extraction est extrêmement complexe et la méthode spécifique choisie dépend des autres composés et éléments présents à l'état de trace qui sont conjugués avec le tellurium D'ordinaire, la première étape implique une oxydation en la présence de carbonate de sodium (cristaux de soude) :

               Cu₂Te + Na₂CO₃ + 2O₂ → 2CuO + Na₂TeO₃ + CO₂

La tellurite Na2TeO3 est acidifiée avec de l'acide sulfurique et le tellurium se précipite sous forme de dioxyde (laissant un acide sélénieux, H2SeO3, dans la solution. Le tellurium est libéré du dioxyde par dissolution dans de l'hydroxyde de sodium, NaOH, et par réduction électrolytique.

               TeO₂ + 2NaOH → Na₂TeO₃ + H₂O → Te + 2NaOH + O₂

Références :

"Tellurium",  Los Alamos National Laboratory, 2003-12-15, http://periodic.lanl.gov/elements/52.html.

Tellurium Basic Atomic Spectroscopic Data, National Institute of Standards and Technology, http://physics.nist.gov/PhysRefData/Handbook/Tables/telluriumtable1.htm.

Hudgens, S.; Johnson, B. (2004). "Overview of Phase-Change Chalcogenide Nonvolatile Memory Technology". Material Research Society Bulletin 29 (11): 1–4. http://www.engr.sjsu.edu/sgleixner/mate270/LectureNotes/Hudgens_MRS.pdf. 

"Mineral Yearbook 2007: Selenium and Tellurium". United States Geological Survey. http://minerals.usgs.gov/minerals/pubs/commodity/selenium/myb1-2007-selen.pdf.  

"Ultra-pure organotellurium precursors for the low temperature MOVPE growth of II/VI compound semiconductors". Journal of Crystal Growth 93: 744–749. 1988. doi:10.1016/0022-0248(88)90613-6

Farivar, Cyrus (2006-10-19). "Panasonic says that its 100GB Blu-ray discs will last a century"