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RFQ & Order
  Photovoltaics / Applications
CdTe und CIGS in der Fotovoltaik (Solarenergie)
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Cadmiumtellurid-Fotovoltaik (CdTe)

Nach einer langen Inkubationszeit ist das CdTe-Segment der Solarindustrie heute zur Reife gelangt. Mit einem Bandabstand von 1,5 eV passt tellurhaltiges Cadmiumtellurid (CdTe) im Hinblick auf die Umwandlung in Elektrizität hervorragend zu der Verteilung von Photonen im Sonnenspektrum. PRM ist dank seiner großen Bandbreite an Technologien, Kapazitäten und Erfahrung im Hinblick auf diese Schlüsseltechnologie hervorragend als idealer Partner für Tellur positioniert.
 
Das Tellur von PRM wird in der Herstellung des Cadmiumtellurids verwendet, das die weltweit führenden Produzenten von Solarmodulen für ihre Produkte verwenden. Dieser Stoff in Solarqualität wird in unserer hochmodernen Produktionseinheit in einer streng geregelten Umgebung verarbeitet. Die kompetenten Ingenieure unserer Qualitätssicherungsabteilung überwachen sorgfältig die Qualität jeder einzelnen Charge, bevor sie an die Kunden geliefert wird.
 
Führende Hersteller von CdTe-Fotovoltaikmodulen konnten ihre Produktionskosten auf Niveaus deutlich unter 1 $/W senken, sodass die Solarenergie sich zu einer erschwinglichen Lösung für zukünftige Generationen entwickelt. PRM ist stolz darauf, als weltweit führender Tellurproduzent einen Hauptbeitrag zu diesem Wachstum der grünen Energien zu leisten.

Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid-Fotovoltaik (CIGS)

Als direktes Bandabstandsmaterial weist selenhaltiges CIGS zugleich sehr gute Eigenschaften im Hinblick auf die Lichtabsorption auf. Schon eine Schicht von 1 bis 2 Mikrometern CIGS reicht aus, um den Großteil des Sonnenlichts zu absorbieren. Bei Verwendung von kristallinem Silizium ist für dieselbe Absorptionsleistung eine wesentlich größere Dicke erforderlich. Aufgrund dieser idealen optischen Eigenschaften ist CIGS zusammen mit CdTe daher ein weiteres zentrales Material für Dünnschicht-Solarmodule.
 
CIGS-Schichten können mit verschiedenen Verfahren hergestellt werden. Bei dem am häufigsten verwendeten Vakuumverfahren werden Kupfer, Gallium und Indium zusammen verdampft oder gesputtert. Die auf diese Weise hergestellte Schicht wird anschließend mit Seleniddampf geglüht, um die endgültige CIGS-Struktur zu bilden. In einem anderen Vakuumverfahren werden Kupfer, Gallium, Indium und Selen direkt zusammen auf das erwärmte Substrat gedampft. Alternative Verfahren ohne Vakuum, die ebenfalls in Betracht gezogen werden, basieren auf der Ablagerung von Nanopartikeln der Vormaterialien auf dem Substrat mit anschließender In-situ-Sinterung. Neuerdings hat sich außerdem die Galvanisierung zu einer weiteren kostengünstigen Alternative für CIGS entwickelt.
 
Das hochreine Selen in Solarqualität von PRM setzt bei Herstellern von CIGS-Solarmodulen weltweit den Maßstab für Qualifizierung. Unser Material wird im gesamten Bereich der CIGS-Technologien verwendet.

 

   
 
           
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